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去年12月11日，協(xié)鑫集團光伏龍頭企業(yè)保利協(xié)鑫能源控股有限公司公布，將與國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立合資公司江蘇鑫華半導體材料科技有限公司，在國內(nèi)建設用于研發(fā)、生產(chǎn)及銷售半導體級多晶硅及其他半導體原材料和電化產(chǎn)品的生產(chǎn)設施。合資公司計劃年產(chǎn)5000噸半導體用電子級多晶硅。

根據(jù)合資協(xié)議，合資公司總投資額及初步注冊資本將分別為20億元及10.2億元，保利協(xié)鑫與國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金將就初步注冊資本分別出資5.2億元及5億元。合資公司將由保利協(xié)鑫與國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金分別占有50.98%及49.02%權(quán)益。保利協(xié)鑫同時宣布，旗下多晶硅企業(yè)江蘇中能硅業(yè)與道生國際訂立融資租賃協(xié)議。通過此次合作，協(xié)鑫將企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略與國家發(fā)展戰(zhàn)略相結(jié)合，將進一步加強公司在硅材料領域的領先地位。

保利協(xié)鑫是太陽能級多晶硅和硅片供應商，多晶硅年產(chǎn)能向10萬噸沖擊，硅片產(chǎn)能向20吉瓦進軍，占全球市場約三分之一，通過10年的努力，保利協(xié)鑫終結(jié)了光伏用多晶硅原料長期受制于歐美廠商壟斷的被動歷史，并且以優(yōu)質(zhì)低成本原料為引領，推動了中國光伏制造業(yè)的跨越發(fā)展，倒逼國外多晶硅產(chǎn)業(yè)在其本土的光伏原料需求萎縮的情況下，反而依賴中國光伏產(chǎn)品市場消化其多晶硅原料。

保利協(xié)鑫新任總裁、首席執(zhí)行官朱戰(zhàn)軍在3月末召開的全球投資人電話會議上公布，2015年保利協(xié)鑫完成多晶硅產(chǎn)量74358噸，同比增長11.2%。硅片產(chǎn)量14968兆瓦，同比增長14.3%，銷量15178兆瓦，同比增長17.6%。收益達到人民幣217.66億元，同比上升1.1%；毛利57.76億元，同比上升16.1%，毛利率27%，同比提高3.8個百分點。保利協(xié)鑫產(chǎn)量的提升是在不新增加生產(chǎn)裝置、少量技術(shù)改造支出的情況下，通過精細化管理和工藝技術(shù)進步實現(xiàn)的。生產(chǎn)環(huán)節(jié)的工藝改進提升了單位產(chǎn)能，設備的自動化改造提升了生產(chǎn)效率，使得產(chǎn)能利用率持續(xù)超過100%，在釋放產(chǎn)能的同時降低了生產(chǎn)成本。

保利協(xié)鑫通過技術(shù)升級向光伏電池組件端大量提供了相當于十年前十五分之一價格的優(yōu)質(zhì)低成本多晶硅，為光伏發(fā)電進入尋常百姓家庭作出核心貢獻。2015年以來，在太陽能級多晶硅市場低迷而硅片供不應求的情況下，保利協(xié)鑫加大高效硅片業(yè)務延伸，減少多晶硅材料直接銷售，目前業(yè)務組合中硅片業(yè)務占比提升到90%以上，直接銷售多晶硅材料已經(jīng)降到很小比例。此番聯(lián)手大基金進軍半導體多晶硅產(chǎn)業(yè)，意在突破中國半導體產(chǎn)業(yè)在原料端的短板。

目前，我國電子級多晶硅大量依賴進口，國內(nèi)從事硅材料業(yè)務的公司多為中小尺寸硅片生產(chǎn)公司。數(shù)據(jù)顯示，2015年全球晶圓制造用硅片市場將達到509億元，我國晶圓制造用硅片和硅基材料市場也將超過116億元。隨著我國集成電路產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展，對電子級多晶硅的需求也將不斷增大，具備高品質(zhì)多晶硅技術(shù)能力的保利協(xié)鑫在國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的推動下，將在一年后實現(xiàn)量產(chǎn)，這將對我國半導體材料國產(chǎn)化和集成電路產(chǎn)業(yè)健康可持續(xù)發(fā)展帶來深遠影響。

3月28日，步入保利協(xié)鑫旗下位于徐州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)的江蘇中能硅業(yè)公司，綠草如茵，碧水微瀾，映襯出“花園式工廠”的特有風貌。江蘇中能硅業(yè)總經(jīng)理蔣文武接受記者的采訪時說，十年前，多晶硅每公斤的成本高達上百美元，現(xiàn)在我們已經(jīng)把它降到十分之一以下，而且品質(zhì)更高。不僅如此，協(xié)鑫還研發(fā)出硅烷流化床法的新工藝，完全可以將成本降到每公斤10美元以下，甚至8美元。十年前，每公斤多晶硅的能耗是165千瓦時電，現(xiàn)在硅烷流化床法只要25千瓦時電以下。十年前，晶體硅電池的光電轉(zhuǎn)化效率只有不到15%，現(xiàn)在我們通過努力已經(jīng)做到20%以上。能取得這些成績，主要是企業(yè)依靠科技創(chuàng)新突破了材料和裝備，掌握了核心發(fā)展力量。

“去年12月份，我們與國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(cif)聯(lián)手并投資20億元，在徐州創(chuàng)立江蘇鑫華半導體材料科技有限公司，用于研發(fā)、生產(chǎn)及銷售半導體級多晶硅及其他半導體原材料及電化產(chǎn)品的生產(chǎn)設施，首期年產(chǎn)5000噸半導體用電子級多晶硅。同時，新成立特種材料公司，建設cvd法碳化硅沉積項目，碳化硅涂層主要用于制作新一代高效節(jié)能的電力電子器件，建成后年產(chǎn)碳化硅涂層165爐，填補國內(nèi)空白。在國家產(chǎn)業(yè)政策指導和扶持下發(fā)力大尺寸晶圓級硅材料,合資公司產(chǎn)業(yè)前景廣闊。”這樣的話語從中能硅業(yè)總經(jīng)理蔣文武的口中說出，記者感受到發(fā)自內(nèi)心的自豪。

保利協(xié)鑫能源控股有限公司總裁、首席執(zhí)行官朱戰(zhàn)軍透露，中國已經(jīng)成為全球最大的集成電路市場，2014年的集成電路市場占全球市場份額52%，然而國產(chǎn)芯片自產(chǎn)率卻嚴重不足，與巨大市場形成強烈反差，2014年，中國集成電路進口額已達到2865億美元，約合1.8萬億元人民幣，遠超石油成為第一大進口商品。朱戰(zhàn)軍指出，此番聯(lián)手cif進軍半導體多晶硅產(chǎn)業(yè)，意在助力中國半導體產(chǎn)業(yè)在原料端突破短板，進一步鞏固保利協(xié)鑫作為全球領先多晶硅研發(fā)與制造商的領跑者和主導者地位。

江蘇中能硅業(yè)總經(jīng)理助理、半導體項目/碳化硅項目副總指揮田新介紹，碳化硅涂層具有熔點高、硬度大、強度高、耐磨蝕、抗氧化的特點，廣泛應用于化工、電子、航天、光伏等領域。cvd法碳化硅涂層產(chǎn)品在半導體材料生產(chǎn)中應用廣泛，且更換頻繁，以前都是委托國外加工成本很高，周期很長。cvd法碳化硅沉積項目的成功投產(chǎn)能夠解決國內(nèi)企業(yè)對高品質(zhì)碳化硅涂層材料的需求，縮短供應周期，對推動第三代半導體材料、器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展，打破國外技術(shù)壟斷，提升我國核心國際競爭力與支撐落實節(jié)能減排戰(zhàn)略具有重要的現(xiàn)實意義。

目前，首期年產(chǎn)5000噸半導體用電子級多晶硅項目的基礎設施已全部完工，關(guān)鍵設備也已訂制完成，所有設備全部按照光滑、鈍化要求進行了機械清洗和無塵布擦洗，預計今年年底可完成全部設備改造和新設備安裝，進行開車調(diào)試。再經(jīng)過半年至一年的時間提升產(chǎn)能，預計2017年底可以給國內(nèi)晶圓企業(yè)批量供貨，2018年可覆蓋國內(nèi)所有半導體生產(chǎn)廠家。其中，首期年產(chǎn)5000噸半導體用電子級多晶硅中，安排生產(chǎn)國外對我國實施技術(shù)封鎖的區(qū)熔級多晶硅1000噸。區(qū)熔級多晶硅主要應用在特高壓、高鐵變頻、充電樁等高端電器上面，價格高出直拉電子級多晶硅3倍左右。

cvd法碳化硅沉積項目是硅基材料的一個延伸，主要用于石墨內(nèi)襯、滿足耐高溫要求，還有抗沖刷分布器，led晶體耐高溫、耐腐蝕托盤，半導體行業(yè)高純石墨熱場等領域。這一項目的設備安裝基本結(jié)束，本月進行設備調(diào)試。該項目的投產(chǎn)，將打破國外個別企業(yè)對這一行業(yè)的壟斷，填補國內(nèi)在石墨碳化涂層這一復合涂層材料的空白。